|

Моделирование нестационарных процессов в импульсных трубчатых ксеноновых лампах в условиях возврата в плазму отраженного излучения

Авторы: Градов В.М., Коробков С.С., Терентьев Ю.И. Опубликовано: 17.02.2019
Опубликовано в выпуске: #1(124)/2019  
DOI: 10.18698/0236-3933-2019-1-90-108

 
Раздел: Информатика, вычислительная техника и управление | Рубрика: Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ  
Ключевые слова: математическое моделирование, спектр, импульсная лампа, возврат излучения, коэффициент отражения, нестационарная плазма, коэффициент поглощения, перенос излучения, полоса накачки

Описана математическая модель импульсного селективно излучающего разряда светотехнического устройства, испытывающего энергетическое взаимодействие с собственным возвращаемым в плазму широкодиапазонным излучением сложной дискретно-непрерывной структуры. Рассмотрены особенности работы осветительных систем с тесным расположением элементов, которые идентифицированы со "световыми котлами" (например, системы накачки лазеров), отличающимися многократными проходами излучения лампы в совокупности сред и поверхностей устройства. Показано, что возвращаемое в плазму излучение и частично поглощенное ею приводит к возрастанию температуры и перераспределению компонентов излучения из одних участков спектра в другие. Тем самым создаются предпосылки для управления спектральным составом излучения ламп с помощью селективно отражающих покрытий на поверхности трубки, стабилизирующей разряд. Получены количественные данные о соотношениях оптической плотности и коэффициента отражения, обеспечивающих эффективный нагрев плазмы возвращаемым излучением, применительно к мощным ксеноновым источникам излучения, используемым для накачки усилительных каскадов неодимовых установок лазерного термоядерного синтеза. Показано, что при относительно умеренных значениях коэффициентов отражения на внутренней поверхности оболочек ламп, реализуемых с помощью интерференционных покрытий, КПД излучения в полосе накачки 510…905 нм может быть повышен на 40...50 %