|

Исследование характеристик и методов нанесения резиста с применением ИК-спектральной эллипсометрии

Авторы: Макеев М.О., Зверев А.В., Родионов И.А. Опубликовано: 23.12.2015
Опубликовано в выпуске: #6(105)/2015  
DOI: 10.18698/0236-3933-2015-6-125-134

 
Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Технология приборостроения  
Ключевые слова: микроэлектронные устройства, литография, резист, центрифугирование, ИК-спектральная эллипсометрия, толщина слоя, оптические константы

Проведены исследование характеристик и оценка однородности нанесения резиста Ultra-i 123-0.35 методом ИК-спектральной эллипсометрии. Определены оптические константы резиста Ultra-i 123-0.35 в ИК-диапазоне длин волн от 2 до 33 мкм, а также зависимость толщины слоев резиста от скорости вращения центрифуги (от 2000 до 7000 об/мин). Неоднородность толщины резиста по поверхности всех образцов составила менее 2%, что свидетельствует о высоком качестве процесса нанесения. Полученная зависимость толщины резиста от скорости вращения центрифуги будет использоваться при выборе технологических режимов нанесения пленок резиста Ultra-i 123-0.35 в диапазоне толщин от 250 до 480 нм.

Литература

[1] Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х т. / пер. с англ. М.: Мир, 1990. Ч. 1. 605 с.

[2] Progress in Spectroscopic Ellipsometry: Applications from Vacuum Ultraviolet to Infrared / J. Hilfiker, C. Bungay, R. Synowicki, T. Tiwald, C. Herzinger, B. Johs, G. Pribil, J.A. Woollam // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21, I. 4. P. 1103-1108.

[3] Survey of Methods to Characterize Thin Absorbing Films with Spectroscopic Ellipsometry / J. Hilfiker, N. Singh, T. Tiwald, D. Convey, S.M. Smith, J.H. Baker, H.G. Tompkins // Thin Solid Films. 2008. No. 516. P. 7979-7989.

[4] Use of Molecular Vibrations to Analyze Very Thin Films with Infrared Ellipsometry / H.G. Tompkins, T. Tiwald, C. Bungay, A.E. Hooper // J. Phys. Chem. B. 2004. Vol. 108, I. 12. P. 3777-3780.

[5] Макеев М.О., Жукова Е.А. Исследование алмазоподобных покрытий методами ИК-спектральной эллипсометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света // Наука и образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн. 2013. № 7. С. 229-240. URL: http://technomag.edu.ru/doc/597996.html

[6] Application of IR ellipsometry to determination of the film thickness of a polytetrafluoroethylene sample modified in direct-current discharge / M.O. Makeev, Yu.A. Ivanov, S.A. Meshkov, A.B. Gil’man and M.Yu. Yablokov // High Energy Chemistry. 2011. Vol. 45., No. 6. P. 536-538.

[7] Исследование физико-химических свойств поверхности политетрафторэтилена методом ИК-спектроэллипсометрии / М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, А.Б. Гильман, М.Ю. Яблоков // Нанотехника. 2011. № 3. C. 27-32.

[8] Исследование металлоорганических гетероструктур методами широкополосной ИК эллипсометрии-спектроскопии / М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, Н.А. Ветрова, С.А. Козубняк // Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение. Спец. вып. "Наноинженерия". 2010. С. 80-91. URL: http://baumanpress.ru/vestnik/2/151.pdf

[9] Исследование деградационных явлений в наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктурах методом ИК-спектроэллипсометрии // Наноинженерия. 2011. № 10. С. 44-48.

[10] Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А. Исследования термической деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 12. С. 23-29.

[11] Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур / М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова // Инженерный журнал: наука и инновации. 2013. № 6 (18). URL: http://engjournal.ru/catalog/nano/hidden/811.html

[12] IR-VASE User’s Manual / J.A. Woollam Co., Inc., 2006.

[13] Handbook of ellipsometry / Ed. by H.G. Tompkins, E.A. Irene. William Andrew Publishing, Springer, 2005. 870 p.

[14] Wooten F. Optical Properties of Solids. N.Y.: Academic Press, 1972.

[15] Palik E.D. Handbook of optical constants of solids. Vol. 1. N.Y.: Academic Press, 1985. 785 р.

[16] Weber M.J. Handbook of Optical Materials. CRC Press, 2002. 536 p.

[17] SEMI MF1618-1110 - Practice for Determination of Uniformity of Thin Films on Silicon Wafers, 2004.

[18] Родионов И.А. Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения. Дисс. ... канд. техн. наук. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010.