Перспективы разработки нелинейных преобразователей радиосигналов на базе резонансно-туннельных нанодиодов - page 1

РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
УДК 621.382.029.6.001.63; 621.396.6.019.3; 620.3
ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗРАБОТКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
РАДИОСИГНАЛОВ НА БАЗЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ
НАНОДИОДОВ
Н.А. Ветрова
,
Ю.А. Иванов
,
С.А. Мешков
,
В.В. Назаров
,
В.Ю. Синякин
,
И.А. Федоренко
,
Н.В. Федоркова
,
В.Д. Шашурин
МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва
e-mail:
;
;
Рассмотрена перспектива улучшения функциональных характеристик радио-
приемных устройств различного назначения путем совершенствования входя-
щих в их состав нелинейных преобразователей радиосигналов. Показана пер-
спективность нелинейных преобразователей радиосигналов на базе резонансно-
туннельных диодов.
Ключевые слова
:
многослойные наноразмерные полупроводниковые гете-
роструктуры А
3
В
5
, резонансно-туннельный диод, смеситель радиосигналов,
выпрямитель СВЧ сигнала, системы радиочастотной идентификации.
PROSPECTS OF DEVELOPMENT OF NONLINEAR RADIO
SIGNAL CONVERTERS BASED
ON RESONANT-TUNNELING NANODIODES
N.A. Vetrova
,
Yu.A. Ivanov
,
S.A. Meshkov
,
V.V. Nazarov
,
V.Yu. Sinyakin
,
I.A. Fedorenko
,
N.V. Fedorkova
,
V.D. Shashurin
Bauman Moscow State Technical University, Moscow
e-mail:
;
;
A prospect is considered to improve functional characteristics of different-purpose
radio-receiving devices by means of refining the nonlinear radio signal converters
included in them. The development of nonlinear radio signal converters based on
resonant tunneling nanodiodes is shown to be promising.
Keywords
:
multilayer nanodimensional semiconductor heterostructure A
3
B
5
, resonant
tunneling diode, radio signal mixer, microwave signal rectifier, radio frequency
identification systems.
Развитие отечественной радиоэлектроники немыслимо без осво-
ения новой элементной базы, в частности наноэлектронной. С этой
точки зрения перспективным является резонансно-туннельный диод
(РТД) на базе многослойных наноразмерных полупроводниковых ге-
тероструктур А
3
В
5
. Он функционирует на основе квантоворазмерного
эффекта резонансного туннелирования электронов поперек слоев ге-
тероструктуры. Наномасштаб заложен в толщине слоев плоскости, в
планаре размеры РТД лежат обычно в микрометровом диапазоне и
формируются при помощи традиционных фотолитографических про-
цессов. Технология и оборудование для производства РТД существуют
100 ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2012. № 4
1 2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,...14
Powered by FlippingBook