| Авторы: Иовдальский В.А., Ганюшкина Н.В., Панас А.И. |
Опубликовано: 25.06.2023 |
| Опубликовано в выпуске: #2(143)/2023 |
|
| DOI: 10.18698/0236-3933-2023-2-20-38 |
|
| Раздел: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы | Рубрика: Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств |
|
|
Ключевые слова: составной двухъярусный полевой транзистор с барьером Шоттки, дополнительный теплоотвод, нитридгаллиевый полевой транзистор с барьером Шоттки, усилитель мощности, температура, массогабаритные характеристики, гибридная интегральная схема
|
| 
