Исследование характеристик и методов нанесения резиста с применением ИК-спектральной эллипсометрии

1 / 10

ТЕХНОЛОГИЯ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
DOI: 10.18698/0236-3933-2015-6-125-134
УДК 621.793 + 535.51
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И МЕТОДОВ НАНЕСЕНИЯ
РЕЗИСТА С ПРИМЕНЕНИЕМ ИК-СПЕКТРАЛЬНОЙ
ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
М.О. Макеев, А.В. Зверев, И.А. Родионов
МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Российская Федерация
e-mail: ; ;
Проведены исследование характеристик и оценка однородности нанесения ре-
зиста Ultra-i 123-0.35 методом ИК-спектральной эллипсометрии. Определены
оптические константы резиста Ultra-i 123-0.35 в ИК-диапазоне длин волн от 2
до 33 мкм, а также зависимость толщины слоев резиста от скорости враще-
ния центрифуги (от 2000 до 7000 об/мин). Неоднородность толщины резиста
по поверхности всех образцов составила менее 2 %, что свидетельствует о
высоком качестве процесса нанесения. Полученная зависимость толщины ре-
зиста от скорости вращения центрифуги будет использоваться при выборе
технологических режимов нанесения пленок резиста Ultra-i 123-0.35 в диапа-
зоне толщин от 250 до 480 нм.
Ключевые слова: микроэлектронные устройства, литография, резист, центри-
фугирование, ИК-спектральная эллипсометрия, толщина слоя, оптические кон-
станты.
RESEARCH INTO CHARACTERISTICS AND METHODS OF RESIST
COATING BY INFRARED SPECTRAL ELLIPSOMETRY
М.О. Makeev, А.V. Zverev , I.А. Rodionov
Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russian Federation
e-mail: ; ;
The paper considers both the research into characteristics and evaluation of Ultra-
i 123-0.35 resist coating uniformity by using the method of infrared spectral
ellipsometry. Optical constants for Ultra-i 123-0.35 resist within the infrared
wavelength ranges of 2 to 33 m are determined. The authors find a ratio of the
resist layer thickness to the centrifuge rotation rate (2000 to 7000 rpm, rotations per
minute). The resist layer thickness nonuniformity is less than 2% along the surfaces
of all samples. This fact suggests the high performance of the coating process. The
obtained ratio of the resist layer thickness to the centrifuge rotation rate will be used
for choosing some technological modes of Ultra-i 123-0.35 resist coating within the
thickness range of 250 to 480 nm.
Keywords: microelectronic devices, lithography, ultraviolet resist, centrifuge process,
infrared spectral ellipsometry, layer thickness, optical constants.
Снижение стоимости производства изготовления микроэлектрон-
ных устройств позволило применять микроэлектронные изделия не
только в военных целях, но и в товарах повседневного пользования.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2015. № 6 125