7 / 12
Типы дефектов различных изделий электронной техники, выявляемых
тепловым контролем
Объект
теплового
контроля
Обнаруживаемые дефекты
Примечания
Полупровод-
никовые
изделия
Дефекты
p
–
n
перехода
(поверхностная деграда-
ция,
электромиграция,
межметаллические со-
единения, “шнурование”
тока, мезоплазма); не-
равномерная плотность
тока; трещины, газовые
пузыри между кристаллом
и основанием, неоднород-
ность состава исходного
материала; дефекты те-
плоотвода, диффузионной
сварки; повреждения кри-
сталла; обрыв проводов и
короткие замыкания.
Во многих случаях показателем дефект-
ности является тепловое сопротивле-
ние. Перспективно импульсное пита-
ние, при котором определяют время
устойчивости и переходную тепловую
характеристику. Скрытые дефекты хо-
рошо локализуются на термограммах.
Интеграль-
ные схемы
Дефекты теплоотвода; об-
рыв выводов, короткие за-
мыкания; некачественная
металлизация; сколы ре-
зистивной пленки; плохая
адгезия и термокомпрес-
сия; пробой конденсато-
ров; объемные дефекты
полупроводникового мате-
риала.
Пространственное разрешение достига-
ет 20. . . 50 мкм. Испытания проводят со
снятой крышкой в 50–100 информатив-
ных точках.
Многослой-
ные печат-
ные платы
Утонение и коррозионный
износ проводников; нека-
чественная металлизация;
отслоение проводников.
Используют импульсный нагрев элек-
трическим током (в ряде случаев опти-
ческий нагрев). Температурное поле
имеет сложную топологию, требуются
эталоны.
Узлы и блоки
радиоэлек-
тронной
аппаратуры
Неправильное подключе-
ние элемента в схеме; не-
качественный монтаж; не-
удачное размещение эле-
ментов на плате.
Тепловой контроль эффективен при
проектировании, изготовлении и функ-
ционировании узлов. Рекомендуется в
массовом производстве однотипных уз-
лов при наличии эталона. Оптимиза-
ция теплового контроля состоит в вы-
боре информативных точек, тестового
воздействия и подавлении излучатель-
ных помех.
Резисторы Локальные утонения; про-
водящие включения; пло-
хие контакты; трещины.
В случае теплового контроля цилин-
дрических резисторов снимают четыре
профиля по образующей и сравнивают с
эталоном. Размер обнаруживаемого де-
фекта 15
×
15 мкм.
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2016. № 1 9